半导体光电探测器的特性参数主要有：

    a．响应率：光电探测器的相应率用以表征探测器将入射光信号转换为电信号的能力。

    b．量子效率：光电探测器的量子效率 定义为一个入射光子照在器件上并产生一个对探测器电流有贡献的光电载流子对的几率。探测器的效率越高越好。

    c．噪声等效功率：在实际的光电探测系统中，即使在探测器不加任何辐射信号时，探测器仍有一定的输出，这就时探测器本身存在的噪声。这种噪声的存在限制了探测器对微弱光信号的探测能力，即探测器能探测到的小入射光功率受到限制。定义，探测器输出的信号功率与噪声功率之比为1时，入射到探测器上的信号功率就称为噪声等效功率（nep）或小可探测功率。nep越小，探?测性能越好。

    d.光谱响应：探测器的光谱响应是指不同波长的光辐射照射到探测器光敏面时，探测器的响应率等特征参量随光辐射波长变化而变化的特性。通常将响应率下降到峰值的50%处所对应的波长定义为截止波长 。有时也采用响应率降到10%处的波长作为截至波长。

    e.响应时间：响应速度是描述探测器对入射辐射响应快慢的一个特性参量。探测器的输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需的时间叫做探测器的响应时间（时间常量τ）。