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摘要 :本文介绍了大屏 AM-OLED 的发展前景及所面临的困难和解决方法。
关键词 :大尺寸屏;有源矩阵 OLED 电视
中图分类号 : TN141 文献标识码 : A
发展大尺寸 AM-OLED 需应对三个基本问题。
1 采用什么样的 TFT 基板
商用大尺寸AM-OLED面市的关键是价格适中、处理过程裕度宽、制造工艺简单。AM-OLED 的 TFT 基板主要有三种类型:非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)和微晶硅(mc-Si),它们的性能比较见表1 。
表 1 中三种TFT 基板没有一种可以全面满足大尺寸AM-OLED 对面板的要求。采用a-Si TFT 的 AM-LCD 已做到第8代,但稳定性问题仍然未解决。基于激光处理的p-Si TFT, 目前受限于激光尺寸和产品价格之限,只做到第4代。非激光处理的p-SiTFT 可降低制造成本,但其均匀性仍难以解决。
表 1 用于 AM-OLED TFT 基板综合性能比较
a-Si |
mc-Si |
p-Si | ||
TFT 性能迁移率(cm2v/s)稳定性 |
<1 低 |
1 - 20 中 |
激光处理 |
非激光处理 |
100~300 高 |
20~100 高 | |||
TFT 均匀性 |
高 |
高 |
低 |
中 |
补偿电路 |
不需要 |
不需要 |
需要 |
/ |
用于大屏幕显示 |
可以 |
可以 |
困难 |
可用 |
生产价格 |
低 |
低 |
高 |
中 |
投资额度 |
很低 |
低 |
高 |
中 |
所以a-SiTFT 仍是吸引人的,但是 a-SiTFT 工作时,阈值漂移是个大问题。工作 400 小时以后,阈值漂移量Δ th =2.5V 。对于超级a-SiTFT ,Δ th 也有1.2V 。而p-Si TFT 和mc-TFT 的Δ th 只有0.1V 或更小。
低温多晶硅(LPTS)可以制造出稳定的TFT 基板,但是面积做不大,其晶化工工艺和制造过程均过于复杂。所以大尺寸OLED-TV 用的 AM-TFT 基板仍只能寄希望于a-SiTFT 基板。工作过程中由于阈值漂移引起的亮度变化,可以采用光和电的反馈系统加以补偿。如用光敏二极管检测显示亮度,当亮度下降时,反馈信号使电路注入更多电流到OLED ,以维持画面平均亮度和均匀性。
2 如何实现彩色
彩色化的途径,常规的有三种:R 、G 、B 三种OLED 分别发光;白光OLED 加彩色滤色片(CF);蓝光OLED 加色转换介质(CCM)。
R 、G 、B 三种OLED 分别发光的制造工艺有三种:精细金属模块(FMM)、喷墨打印和激光感应热成像(LITI)。白光OLED 加彩色滤色片的工艺过程比之前者要简单得多。蓝光OLED 加CCM 用于大尺寸OLED 显示屏有潜力,但其色转换效率低,价格高。
目前,小分子OLED 器件都使用FMM ,但其尺寸不会大于四代,所以喷墨打印和白光OLED 加CF 更具有吸引力。从器件的性能上讲,FMM 和白光OLED 加 CF 比喷墨打印的好,但是喷墨打印工艺是经济的。聚合物 OLED(PLED) 大约要在三年之后才能达到目前小分子OLED 水平。表 2 中列出了实现彩色OLED 工艺的性能比较。
表 2 几种实现彩色OLED工艺的性能比较
精细金属模块 |
喷墨打印 |
白光 OLED 加 CF | |
材料 |
小分子 |
高分子 |
小分子 |
发光效率和寿命 |
高 |
低 |
高 |
色域 |
高 |
低 |
高 |
图案精细度 |
±20 Um |
±15 Um |
±2.5 Um |
分辨力 |
约 130ppi |
~150 Um |
>200 ppi |
可达到的尺寸 |
< 第 4 代 |
> 第 5 代 |
> 第 5 代 |
OLED 用的材料可使用性 |
中 |
高 |
中 |
OLED 用的材料价格 |
贵 |
不贵 |
不贵 |
屏的价格 |
贵 |
不贵 |
不贵 |
量产能力 |
高 |
低 |
很好 |
3 两种 OLED 彩色方案的比较
已确定白光OLED+CF 是目前唯一实现大尺寸彩色 AM-OLED 的方案。现在来比较两种彩色化方案:RGB 加CF 和RGBW 加CF 。
RGBW 彩色系统能使投射式 LCD 的发光效率提高 50 %。对于 OLED ,焦点集中在功耗或发光效率,而非全屏亮度。 RGBW 彩色系统的优点是一个白色子像素可代替 3 个 R 、 G 、 B 子像素,从而可节省功率 66.7 %。表 3 列出了 RGB+CF 与 RGBW+CF 的功耗比较。
表 3 RGB+CF 与 RGBW+CF 性能比较
RGB |
RGBW |
比较 | ||
功耗 |
全色峰值 |
300 |
200 |
33% |
全色平均值 |
90 |
75 |
16.7% | |
灰色峰值 |
300 |
100 |
66.7% | |
灰色平均值 |
90 |
30 |
66.7% | |
能力 |
平均值 |
1500 |
1155 |
20% |
峰值 |
5000 |
6000 |
20% | |
其它 |
大白光亮度( cd/m2) |
500 |
1000 |
2× |
色彩数(bits) |
24 |
32 |
256 伊× | |
子像素结构 |
3×1 |
2×2 或 4×1 |
驱动裕度更低 |
从功耗角度讲, 设无 CF 时发全白光 RGBOLED 的功耗是 100 ,每种颜色光的平均功耗是总功耗的 33 %。因此, RGBCF +白光 OLED 的功耗是 RGB OLED 功耗之 3 倍, 而 RGBW CF+ 白光 OLED 的功耗是 RGBOLED 功耗之 2.5 倍。然而,对于无彩色的灰度,则两者的功耗是相等的。对于大多数实际视频,彩色是互相强烈地相关的,即 W 子像素比 R 、 G 、 B 用得更多。即 RGBW CF+ 白光 OLED 的功耗是 RGBOLED 功耗的 1 ~ 2.5 倍。
由表 3 可知,对于一个实际的电视信号系列, RGBW 全色峰值的功耗对于彩色视频只有 1/2 ,比等效 RGB-OLED 只高 25 %;对于大多数 DVD 信号则更低。
RGBW CF+ 白光 OLED 系统的日光下对比度 (D-CR) 比 RGB OLED 系统的高。当 OLED 的背电极为铝或银时,对日光作镜面反射,一般采用黑距阵可减少对环境光的反射。 RGBWCF+ 白光 OLED 系统的 D-CR 是 RGBOLED 系统的两倍。
结论是 RGBWCF+ 白光 OLED 与 RGB OLED 相比较,功耗上升 25 %,但 D-CR 增加 100 %。大尺寸 AM-OLED-TB 将可与 LCD-TV , PDP-TV 对抗,并且前者性能更好。但仍有一些问题(如发光效率、寿命)待解决,与单色 OLED 相比较,投入也少。近年来,虽然 OLED 材料有了大的提高 ( 见表 4) ,但是发光效率、寿命、色坐标仍不能保证满足要求。如,用 R 、 G 、 B 三层堆积而成的彩色 OLED ,发白光时的效率,目前已达到 10 cd/A ,而对于一个有竞争力的彩色 OLED-TV 则要求至少要达到 h = 30 cd/A ,在 0nit 亮度下寿命为 50 , 000 小时。
表 4 目前 OLED 材料的性能
小分子 |
聚合物 | |||||
色坐标 |
大发光效率( cd/A) |
寿命(hrs) |
色坐标 |
大发光效率(cd/A) |
寿命(hrs) | |
B |
0.14 0.16 |
7.2 |
12000(1000nit) |
0.15 0.24 |
3.9 |
1300(500nit) |
G |
0.29 0.64 |
20.5 |
100000(1000nit) |
0.42 0.56 |
8.2 |
3600(1000nit) |
R |
0.67 0.33 |
11.4 |
100000(1000nit) |
0.64 0.36 |
1.5 |
15000(500nit) |
W |
0.32 0.35 |
10.7 |
50000(1000nit) |
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