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        摘要 :本文介绍了大屏 AM-OLED 的发展前景及所面临的困难和解决方法。
关键词 :大尺寸屏;有源矩阵 OLED 电视
中图分类号 : TN141 文献标识码 : A
发展大尺寸 AM-OLED 需应对三个基本问题。
1 采用什么样的 TFT 基板
商用大尺寸AM-OLED面市的关键是价格适中、处理过程裕度宽、制造工艺简单。AM-OLED 的 TFT 基板主要有三种类型:非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)和微晶硅(mc-Si),它们的性能比较见表1 。
表 1 中三种TFT 基板没有一种可以全面满足大尺寸AM-OLED 对面板的要求。采用a-Si TFT 的 AM-LCD 已做到第8代,但稳定性问题仍然未解决。基于激光处理的p-Si TFT, 目前受限于激光尺寸和产品价格之限,只做到第4代。非激光处理的p-SiTFT 可降低制造成本,但其均匀性仍难以解决。
表 1 用于 AM-OLED TFT 基板综合性能比较
| 
 a-Si  | 
 mc-Si  | 
 p-Si  | ||
| 
 TFT 性能迁移率(cm2v/s)稳定性  | 
 <1 低  | 
 1 - 20 中  | 
 激光处理  | 
 非激光处理  | 
| 
 100~300 高  | 
 20~100 高  | |||
| 
 TFT 均匀性  | 
 高  | 
 高  | 
 低  | 
 中  | 
| 
 补偿电路  | 
 不需要  | 
 不需要  | 
 需要  | 
 /  | 
| 
 用于大屏幕显示  | 
 可以  | 
 可以  | 
 困难  | 
 可用  | 
| 
 生产价格  | 
 低  | 
 低  | 
 高  | 
 中  | 
| 
 投资额度  | 
 很低  | 
 低  | 
 高  | 
 中  | 
所以a-SiTFT 仍是吸引人的,但是 a-SiTFT 工作时,阈值漂移是个大问题。工作 400 小时以后,阈值漂移量Δ th =2.5V 。对于超级a-SiTFT ,Δ th 也有1.2V 。而p-Si TFT 和mc-TFT 的Δ th 只有0.1V 或更小。
低温多晶硅(LPTS)可以制造出稳定的TFT 基板,但是面积做不大,其晶化工工艺和制造过程均过于复杂。所以大尺寸OLED-TV 用的 AM-TFT 基板仍只能寄希望于a-SiTFT 基板。工作过程中由于阈值漂移引起的亮度变化,可以采用光和电的反馈系统加以补偿。如用光敏二极管检测显示亮度,当亮度下降时,反馈信号使电路注入更多电流到OLED ,以维持画面平均亮度和均匀性。
2 如何实现彩色
彩色化的途径,常规的有三种:R 、G 、B 三种OLED 分别发光;白光OLED 加彩色滤色片(CF);蓝光OLED 加色转换介质(CCM)。
R 、G 、B 三种OLED 分别发光的制造工艺有三种:精细金属模块(FMM)、喷墨打印和激光感应热成像(LITI)。白光OLED 加彩色滤色片的工艺过程比之前者要简单得多。蓝光OLED 加CCM 用于大尺寸OLED 显示屏有潜力,但其色转换效率低,价格高。
目前,小分子OLED 器件都使用FMM ,但其尺寸不会大于四代,所以喷墨打印和白光OLED 加CF 更具有吸引力。从器件的性能上讲,FMM 和白光OLED 加 CF 比喷墨打印的好,但是喷墨打印工艺是经济的。聚合物 OLED(PLED) 大约要在三年之后才能达到目前小分子OLED 水平。表 2 中列出了实现彩色OLED 工艺的性能比较。
表 2 几种实现彩色OLED工艺的性能比较
| 
 精细金属模块  | 
 喷墨打印  | 
 白光 OLED 加 CF  | |
| 
 材料  | 
 小分子  | 
 高分子  | 
 小分子  | 
| 
 发光效率和寿命  | 
 高  | 
 低  | 
 高  | 
| 
 色域  | 
 高  | 
 低  | 
 高  | 
| 
 图案精细度  | 
 ±20 Um  | 
 ±15 Um  | 
 ±2.5 Um  | 
| 
 分辨力  | 
 约 130ppi  | 
 ~150 Um  | 
 >200 ppi  | 
| 
 可达到的尺寸  | 
 < 第 4 代  | 
 > 第 5 代  | 
 > 第 5 代  | 
| 
 OLED 用的材料可使用性  | 
 中  | 
 高  | 
 中  | 
| 
 OLED 用的材料价格  | 
 贵  | 
 不贵  | 
 不贵  | 
| 
 屏的价格  | 
 贵  | 
 不贵  | 
 不贵  | 
| 
 量产能力  | 
 高  | 
 低  | 
 很好  | 
3 两种 OLED 彩色方案的比较
已确定白光OLED+CF 是目前唯一实现大尺寸彩色 AM-OLED 的方案。现在来比较两种彩色化方案:RGB 加CF 和RGBW 加CF 。
RGBW 彩色系统能使投射式 LCD 的发光效率提高 50 %。对于 OLED ,焦点集中在功耗或发光效率,而非全屏亮度。 RGBW 彩色系统的优点是一个白色子像素可代替 3 个 R 、 G 、 B 子像素,从而可节省功率 66.7 %。表 3 列出了 RGB+CF 与 RGBW+CF 的功耗比较。
表 3 RGB+CF 与 RGBW+CF 性能比较
| 
 RGB  | 
 RGBW  | 
 比较  | ||
| 
 功耗  | 
 全色峰值  | 
 300  | 
 200  | 
 33%  | 
| 
 全色平均值  | 
 90  | 
 75  | 
 16.7%  | |
| 
 灰色峰值  | 
 300  | 
 100  | 
 66.7%  | |
| 
 灰色平均值  | 
 90  | 
 30  | 
 66.7%  | |
| 
 能力  | 
 平均值  | 
 1500  | 
 1155  | 
 20%  | 
| 
 峰值  | 
 5000  | 
 6000  | 
 20%  | |
| 
 其它  | 
 大白光亮度( cd/m2)  | 
 500  | 
 1000  | 
 2×  | 
| 
 色彩数(bits)  | 
 24  | 
 32  | 
 256 伊×  | |
| 
 子像素结构  | 
 3×1  | 
 2×2 或 4×1  | 
 驱动裕度更低  | |
从功耗角度讲, 设无 CF 时发全白光 RGBOLED 的功耗是 100 ,每种颜色光的平均功耗是总功耗的 33 %。因此, RGBCF +白光 OLED 的功耗是 RGB OLED 功耗之 3 倍, 而 RGBW CF+ 白光 OLED 的功耗是 RGBOLED 功耗之 2.5 倍。然而,对于无彩色的灰度,则两者的功耗是相等的。对于大多数实际视频,彩色是互相强烈地相关的,即 W 子像素比 R 、 G 、 B 用得更多。即 RGBW CF+ 白光 OLED 的功耗是 RGBOLED 功耗的 1 ~ 2.5 倍。
由表 3 可知,对于一个实际的电视信号系列, RGBW 全色峰值的功耗对于彩色视频只有 1/2 ,比等效 RGB-OLED 只高 25 %;对于大多数 DVD 信号则更低。
RGBW CF+ 白光 OLED 系统的日光下对比度 (D-CR) 比 RGB OLED 系统的高。当 OLED 的背电极为铝或银时,对日光作镜面反射,一般采用黑距阵可减少对环境光的反射。 RGBWCF+ 白光 OLED 系统的 D-CR 是 RGBOLED 系统的两倍。
结论是 RGBWCF+ 白光 OLED 与 RGB OLED 相比较,功耗上升 25 %,但 D-CR 增加 100 %。大尺寸 AM-OLED-TB 将可与 LCD-TV , PDP-TV 对抗,并且前者性能更好。但仍有一些问题(如发光效率、寿命)待解决,与单色 OLED 相比较,投入也少。近年来,虽然 OLED 材料有了大的提高 ( 见表 4) ,但是发光效率、寿命、色坐标仍不能保证满足要求。如,用 R 、 G 、 B 三层堆积而成的彩色 OLED ,发白光时的效率,目前已达到 10 cd/A ,而对于一个有竞争力的彩色 OLED-TV 则要求至少要达到 h = 30 cd/A ,在 0nit 亮度下寿命为 50 , 000 小时。
表 4 目前 OLED 材料的性能
| 
 小分子  | 
 聚合物  | |||||
| 
 色坐标  | 
 大发光效率( cd/A)  | 
 寿命(hrs)  | 
 色坐标  | 
 大发光效率(cd/A)  | 
 寿命(hrs)  | |
| 
 B  | 
 0.14 0.16  | 
 7.2  | 
 12000(1000nit)  | 
 0.15 0.24  | 
 3.9  | 
 1300(500nit)  | 
| 
 G  | 
 0.29 0.64  | 
 20.5  | 
 100000(1000nit)  | 
 0.42 0.56  | 
 8.2  | 
 3600(1000nit)  | 
| 
 R  | 
 0.67 0.33  | 
 11.4  | 
 100000(1000nit)  | 
 0.64 0.36  | 
 1.5  | 
 15000(500nit)  | 
| 
 W  | 
 0.32 0.35  | 
 10.7  | 
 50000(1000nit)  | 
|||
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