高亮度LED虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（ESD）损害和热膨胀系数（TCE）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（Submount）的进阶封装方式，以有效发挥LED的照明效益。
　　高亮度LED（High-brightness Light Emitting Diodes；HB LED）的出现，在照明产业中掀起了一股狂潮。相较于传统的白热灯泡，HB LED因具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等主要优点，因此很快的抢占了LCD背光板、交通号志、汽车照明和招牌等多个市场。
　　HB LED的主导性生产技术是InGaN，但此技术仍有一些瓶颈需要克服，目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案，希望能进一步拓展HB LED的市场。这些瓶颈中以静电释放（electrostatic discharge；ESD）敏感性和热膨胀系数（thermal coefficient of expansion ；TCE）为两大议题，其困难如下所述：
　　热处理（Thermal Management）
　　相较于LED晶粒（die）的高效能特性，目前多数的封装方式很明显地无法满足今时与未来的应用需求。对于HB LED的封装厂商来说，一个主要的挑战来自于热处理议题。这是因为在高热下，晶格会产生振动，进而造成结构上的改变（如回馈回路变成正向的），这将降低发 光度，甚至令LED无法使用，也会对交错连结的封入聚合体（encapsulating polymers）造成影响。
　　仅管一些测试显示，在晶粒（die）的型式下， 即使电流高到130mA仍能正常工作；但采用一般的封装后，LED只能在20mA的条件下发光。这是因为当芯片是以高电流来驱动时，所产生的高热会造成铜 导线框（lead-frame）从原先封装好的位置迁移。因此在芯片与导线框间存在着TCE的不协调性，这种不协调性是对LED可靠性的一大威胁。
　　静电释放（ESD）
　　对电子设备的静电损害 （Electrostatic damage；ESD）可能发生在从制造到使用过程中的任何时候。如果不能妥善地控制处理ESD的问题，很可能会造成系统环境的失控，进而对电子设备造成 损害。InGaN 晶粒一般被视为是"Class 1"的设备，达到30kV的静电干扰电荷其实很容易发生。在对照试验中，10V的放电就能破坏Class 1 对ESD极敏感的设备。研究显示ESD对电子产品及相关设备的损害每年估计高达50亿美元，至于因ESD受损的LED则可能有变暗、报销、短路，及低Vf （forward voltage）或 Vr（reverse voltage）等现象。
　　以Submount技术突破瓶颈 
　　为了突破这些InGaN LED瓶颈，CAMD公司提出一项特殊的解决方式。采用与医学用生命支持设备相同的技术，CAMD发展出一种硅载体（Silicon Carrier）或次黏着基台（Submount），以做为InGaN芯片与导线框之间的内部固着介质；当透过齐纳二极管（Zener Diodes）来提供ESD保护的同时，这种Submount设计也能降低TCE不协调性的冲击。
　　结论
　　HB LED已开始取代消费性及工业应用的传统照明解决方案，但要让LED发挥大照度，仍得克服一些瓶颈，例如在高热下，封装晶格会振动甚至迁移，以及因 ESD的损害而让LED有变暗、报销及短路等现象。本文所提到的Submount封装技术，可以有效的解决LED发光、散热及导电等问题，并能提供ESD 保护，是一个值得推广的解决方案。